我們的計算機可能同時使用靜態(tài)RAM (SRAM)和動態(tài)RAM (DRAM)，它們往往在計算機內(nèi)部有不同的作用，因為這兩種類型的成本不同。一旦您了解了動態(tài)和靜態(tài)RAM芯片在計算機內(nèi)的工作原理，就很容易理解為什么這兩種RAM之間存在成本差異，以及這兩種類型的RAM是如何得名的。

動態(tài)RAM是目前最常用的內(nèi)存類型。在動態(tài)RAM芯片中，每個存儲單元由兩部分組成：晶體管和電容器，它包含1位信息。電容器持有信息位0或1，晶體管充當(dāng)一個開關(guān)，讓存儲芯片上的控制電路讀取電容器或改變其狀態(tài)。當(dāng)然，這些都是非常小的晶體管和電容器，所以一個存儲芯片可以容納數(shù)百萬個晶體管和電容器。

電容器就像一個可以儲存電子的小桶。為了在存儲單元中存儲1的信息，電容器充滿了電子。如果要存儲0的信息，則要清空它里面的電子。電容器有一個問題，那就是它會產(chǎn)生泄漏，在幾毫秒的時間內(nèi)，一個滿桶就會變成空桶。因此，為了讓動態(tài)內(nèi)存工作，CPU必須在放電前給所有持有1的電容器充電。為此，CPU讀取內(nèi)存，然后直接將其寫回。這個刷新操作每秒自動進行數(shù)千次。

動態(tài)RAM必須一直動態(tài)刷新，否則它會忘記它所持有的內(nèi)容。這一切印象深刻的缺點是，它需要時間，而且會減慢記憶速度。目前的動態(tài)RAM標(biāo)準(zhǔn)被稱為DDR4，允許在單個芯片上最多64g的內(nèi)存，與以前的RAM標(biāo)準(zhǔn)相比，數(shù)據(jù)速度更快，能源效率更好。(www.wS46.com)

靜態(tài)RAM使用完全不同的技術(shù)。在靜態(tài)RAM中，一種觸發(fā)器的形式持有每一位內(nèi)存。一個存儲單元的觸發(fā)器需要4到6個晶體管和一些線路，但永遠不需要刷新。這使得靜態(tài)RAM比動態(tài)RAM快得多。然而，因為它有更多的部件，靜態(tài)存儲單元在芯片上比動態(tài)存儲單元占用更多的空間。因此，每個芯片的內(nèi)存更少，這使得靜態(tài)RAM的價格更高。靜態(tài)芯片通常只能容納1MB或更少的內(nèi)存，而許多現(xiàn)代動態(tài)RAM棒可以容納數(shù)GB的內(nèi)存。靜態(tài)RAM比動態(tài)RAM使用更少的功率。

此外，在這兩者之間存在一種狀態(tài)，稱為偽靜態(tài)RAM。這種類型的構(gòu)造類似于動態(tài)RAM，但在其電路板上焊接了集成存儲控制器。這種區(qū)別使動態(tài)芯片在速度上具有優(yōu)勢，同時仍然保持相對較低的生產(chǎn)成本。在大量生產(chǎn)的手機、各種智能設(shè)備和汽車計算機模塊中，偽靜態(tài)RAM經(jīng)常取代昂貴的靜態(tài)RAM。