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硅太陽能電池原理(硅太陽能電池工作原理介紹)

發(fā)布時(shí)間:2024-01-24閱讀(14)

導(dǎo)讀陽能電池發(fā)電的原理主要是半導(dǎo)體的光電效應(yīng),一般的半導(dǎo)體主要結(jié)構(gòu)如下:硅材料是一種半導(dǎo)體材料,太陽能電池發(fā)電的原理主要就是利用這種半導(dǎo)體的光電效應(yīng)當(dāng)硅晶體中摻....

陽能電池發(fā)電的原理主要是半導(dǎo)體的光電效應(yīng),一般的半導(dǎo)體主要結(jié)構(gòu)如下:硅材料是一種半導(dǎo)體材料,太陽能電池發(fā)電的原理主要就是利用這種半導(dǎo)體的光電效應(yīng)當(dāng)硅晶體中摻入其他的雜質(zhì),如硼(黑色或銀灰色固體,熔點(diǎn)為2 300℃,沸點(diǎn)為3 658℃,密度為2.349/cm3,硬度僅次于金剛石,在室溫下較穩(wěn)定,可與氮、碳、硅作用,高溫下硼還與許多金屬和金屬氧化物反應(yīng),形成金屬硼化物這些化合物通常是高硬度、耐熔、高電導(dǎo)率和化學(xué)惰性的物質(zhì))、磷等,當(dāng)摻入硼時(shí),硼元素能夠俘獲電子,硅晶體中就會存在一個(gè)空穴,這個(gè)空穴因?yàn)闆]有電子而變得很不穩(wěn)定,容易吸收電子而中和,它就成為空穴型半導(dǎo)體,稱為P型半導(dǎo)體(在半導(dǎo)體材料硅或鍺晶體中摻入三價(jià)元素雜質(zhì)可構(gòu)成缺殼粒的P型半導(dǎo)體,摻入五價(jià)元素雜質(zhì)可構(gòu)成多余殼粒的N型半導(dǎo)體),我來為大家講解一下關(guān)于硅太陽能電池原理?跟著小編一起來看一看吧!

硅太陽能電池原理(硅太陽能電池工作原理介紹)

硅太陽能電池原理

陽能電池發(fā)電的原理主要是半導(dǎo)體的光電效應(yīng),一般的半導(dǎo)體主要結(jié)構(gòu)如下:硅材料是一種半導(dǎo)體材料,太陽能電池發(fā)電的原理主要就是利用這種半導(dǎo)體的光電效應(yīng)。當(dāng)硅晶體中摻入其他的雜質(zhì),如硼(黑色或銀灰色固體,熔點(diǎn)為2 300℃,沸點(diǎn)為3 658℃,密度為2.349/cm3,硬度僅次于金剛石,在室溫下較穩(wěn)定,可與氮、碳、硅作用,高溫下硼還與許多金屬和金屬氧化物反應(yīng),形成金屬硼化物。這些化合物通常是高硬度、耐熔、高電導(dǎo)率和化學(xué)惰性的物質(zhì))、磷等,當(dāng)摻入硼時(shí),硼元素能夠俘獲電子,硅晶體中就會存在一個(gè)空穴,這個(gè)空穴因?yàn)闆]有電子而變得很不穩(wěn)定,容易吸收電子而中和,它就成為空穴型半導(dǎo)體,稱為P型半導(dǎo)體(在半導(dǎo)體材料硅或鍺晶體中摻入三價(jià)元素雜質(zhì)可構(gòu)成缺殼粒的P型半導(dǎo)體,摻入五價(jià)元素雜質(zhì)可構(gòu)成多余殼粒的N型半導(dǎo)體)。

同樣,摻入磷原子以后,因?yàn)榱自佑形鍌€(gè)電子,所以就會有一個(gè)電子變得非常活躍,形成電子型半導(dǎo)體,稱為N型半導(dǎo)體。P型半導(dǎo)體中含有較多的空穴,而N型半導(dǎo)體中含有較多的電子,這樣,當(dāng)P型和N型半導(dǎo)體結(jié)合在一起時(shí)。在兩種半導(dǎo)體的交界面區(qū)域里會形成一個(gè)特殊的薄層,界面的P型一側(cè)帶負(fù)電,N型一側(cè)帶正電,出現(xiàn)了濃度差。N區(qū)的電子會擴(kuò)散到P區(qū),P區(qū)的空穴會擴(kuò)散到N區(qū),一旦擴(kuò)散就形成了一個(gè)由N指向P的“內(nèi)電場”,從而阻止擴(kuò)散進(jìn)行。達(dá)到平衡后,就形成了這樣一個(gè)特殊的薄層形成電勢差,從而形成PN結(jié)。當(dāng)晶片受光后,PN結(jié)中,N型半導(dǎo)體的空穴往P型區(qū)移動,而P型區(qū)中的電子往N型區(qū)移動,從而形成從N型區(qū)到P型區(qū)的電流。然后在PN結(jié)中形成電勢差,這就形成了電源。

由于半導(dǎo)體不是電的良導(dǎo)體,電子在通過PN結(jié)后如果在半導(dǎo)體中流動,電阻非常大,損耗也就非常大。但如果在上層全部涂上金屬,陽光就不能通過,電流就不能產(chǎn)生,因此一般用金屬網(wǎng)格覆蓋PN結(jié),以增加入射光的面積。另外硅表面非常光亮,會反射掉大量的太陽光,不能被電池利用。

為此,科學(xué)家們給它涂上了一層反射系數(shù)非常小的保護(hù)膜(減反射膜),實(shí)際工業(yè)生產(chǎn)基本都是用化學(xué)氣相沉積一層氮化硅膜,厚度在1000A左右。將反射損失減小到5%甚至更小?;蛘卟捎弥苽浣q面的方法,即用堿溶液(一般為NaOH溶液)對硅片進(jìn)行各向異性腐蝕在硅片表面制備絨面。入射光在這種表面經(jīng)過多次反射和折射,降低了光的反射,增加了光的吸收,提高了太陽電池的短路電流和轉(zhuǎn)換效率。一個(gè)電池所能提供的電流和電壓畢競有限,于是人們又將很多電池(通常是36個(gè))并聯(lián)或串聯(lián)起來使用,形成太陽能光電板。

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