導(dǎo)讀最基本的原理就不再這兒陳述了，不知道的可以看看書后者百度，都有解釋，這篇文章搜集了一下資料，學(xué)習(xí)一下關(guān)于場(chǎng)效應(yīng)管平時(shí)沒有注意到的要點(diǎn)。如果給管子加上負(fù)偏差U....

最基本的原理就不再這兒陳述了，不知道的可以看看書后者百度，都有解釋，這篇文章搜集了一下資料，學(xué)習(xí)一下關(guān)于場(chǎng)效應(yīng)管平時(shí)沒有注意到的要點(diǎn)。

如果給管子加上負(fù)偏差UGS時(shí)，PN結(jié)形成空間電荷區(qū)，其載流子很少，因而也叫耗盡區(qū)(如圖a中陰影區(qū)所示)。其性能類似于絕緣體，反向偏壓越大，耗盡區(qū)越寬，溝道電阻就越大，電流減小，甚至完全截止。這樣就達(dá)到了利用反向偏壓所產(chǎn)生的電場(chǎng)來控制N型硅片(溝道)中的電流大小的目的。

注：實(shí)際上溝道的摻雜濃度非常小，導(dǎo)電能力比較低，所以有幾百到幾千歐導(dǎo)通電阻。而且是PN結(jié)工作在反向偏置的狀態(tài)。剛開機(jī)時(shí)，如果負(fù)偏置沒有加上，此時(shí)ID是最大的。

特點(diǎn)：

1，GS和GD有二極管特性，正向?qū)ǎ聪螂娮韬艽?/strong>

2：DS也是導(dǎo)通特性，阻抗比較大

3：GS工作在反向偏置的狀態(tài)。

4：DS極完全對(duì)稱，可以反用，即D當(dāng)做S，S當(dāng)做D。

絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET

結(jié)型雖然電壓控制方式，但是仍然有少子的飄移形成電流。絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管是柵極與襯底完全絕緣，所以叫絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管。

絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)分為增強(qiáng)型和耗盡型兩大類，每類中又有N溝道和P溝道之分，N溝道又叫PMOS管，P溝道又叫NMOS管。

（襯底斷開是是指兩個(gè)N區(qū)沒有相連。如果兩個(gè)相連，靠改變溝道的寬度來控制電流就是耗盡型）

（襯底在內(nèi)部與源極相連，所以絕緣柵MOSFET的D、S極是不能互換的。箭頭的方向仍然是襯底和S極和D極的PN結(jié)方向，而柵極沒有半導(dǎo)體，只是電容器的一個(gè)極板。而結(jié)型的箭頭是柵極向S極和D極的PN結(jié)方向，這就是為什么同樣是N溝道，結(jié)型和絕緣柵型的箭頭方向相反。）

當(dāng)UGS較小時(shí)，不能形成有效的溝道，盡管加有UDS，也不能形成ID。當(dāng)增加UGS，使ID剛剛出現(xiàn)時(shí)，對(duì)應(yīng)的UGS稱為開啟電壓，用UGS(th)或UT表示。

N溝道增強(qiáng)型MOSFET的特性曲線

說明柵源電壓UGS對(duì)漏極電流ID的控制關(guān)系，可用這個(gè)關(guān)系式來表達(dá)，這條特性曲線稱為轉(zhuǎn)移特性曲線。

轉(zhuǎn)移特性曲線的斜率gm反映了柵源電壓對(duì)漏極電流的控制作用。gm稱為跨導(dǎo)。這是場(chǎng)效應(yīng)三極管的一個(gè)重要參數(shù)。

漏極輸出特性曲線

當(dāng)UGS＞UGS(th)，且固定為某一值時(shí)，反映UDS對(duì)ID的影響，即ID=f(UDS)?UGS=const這一關(guān)系曲線稱為漏極漏極輸出特性曲線。

場(chǎng)效應(yīng)三極管作為放大元件使用時(shí)，是工作在漏極輸出特性曲線水平段的恒流區(qū)，從曲線上可以看出UDS對(duì)ID的影響很小。但是改變UGS可以明顯改變漏極電流ID，這就意味著輸入電壓對(duì)輸出電流的控制作用。

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